华泰证券研报表示，随着近年800G、1.6T光模块需求量的快速提升，以及未来3.2T时代的渐行渐近，看好光模块上游核心材料的发展机遇。InP衬底作为光芯片上游核心原材料，受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、高带宽等优势，未来有望于3.2T可插拔方案中迎来导入窗口期，产业链成长空间广阔。
全文如下华泰 | 通信：关注光模块上游核心材料发展机遇
核心观点
随着近年800G、1.6T光模块需求量的快速提升，以及未来3.2T时代的渐行渐近，我们看好光模块上游核心材料的发展机遇，本篇报告中我们将系统梳理InP衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑：其中InP衬底作为光芯片上游核心原材料，受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、高带宽等优势，未来有望于3.2T可插拔方案中迎来导入窗口期，产业链成长空间广阔。
AI算力带动光模块需求高增长，光芯片需求快速释放
随着全球科技巨头继续加码AI算力投资，光模块产业链有望延续高景气度。根据LightCounting于2026年1月发布的预测，全球高速率（100G及以上）数通光模块市场规模有望由2025年的164亿美金扩张至2031年的521亿美金。光芯片作为光模块上游核心原材料之一，需求侧亦呈现高增趋势，根据源杰科技港股招股书中的数据，预计全球光芯片市场规模有望由2024年的26亿美金增长至2030年的229亿美金，对应期间CAGR达44%。
InP衬底：光芯片带动需求侧高增长，行业具备高壁垒
InP衬底是光芯片生产的核心原材料之一。随着2026~2027年800G、1.6T光模块拉动光芯片需求快速释放，Lumentum、Coherent、源杰等国内外光芯片头部厂商均在积极扩充产能，InP衬底有望迎高速发展期，Yole预测，全球InP衬底销量（折合为2英寸）有望从2019年的50万片增加至2026年的128万片。全球InP衬底市场高度集中，日本住友、北京通美及日本JX占据超90%份额，我们认为需求高增长背景下，新晋厂商有望获得导入机遇。InP衬底的产业链可划分为高纯原材料（红磷、金属铟等）→多晶合成→单晶生长、衬底制备→外延片/光芯片。
薄膜铌酸锂：3.2T渐行渐近，产业迎广阔发展机遇
随着3.2T光模块的渐行渐近，单通道调制速率需达到400G，我们判断薄膜铌酸锂相比于纯硅光调制器具备超高带宽、低功耗、低损耗等方面优势，有望迎来导入机遇。根据我们的测算，2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市场空间有望近30亿元，对应2029~2031年CAGR达271%。薄膜铌酸锂的产业链可划分为铌酸锂晶体材料→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂调制器（芯片），各环节均具备较高技术壁垒，我国厂商在以上各领域均已取得积极进展，我们看好相关厂商在3.2T时代有望迎接广阔发展机遇。
产业链核心环节厂商梳理
InP衬底：【高纯铟】、【多晶合成】、【InP衬底】相关公司。薄膜铌酸锂：【铌酸锂晶体材料】、【薄膜铌酸锂晶圆】、【薄膜铌酸锂调制器（芯片）】相关公司。具体公司梳理，请见研报原文。
风险提示：云厂商资本开支投入不及预期；行业竞争加剧；本研报中涉及到未上市公司或未覆盖个股内容，均系对公开信息的整理，并不代表团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。
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